SFN、工場における半導体生産の速度を10倍、純利益を40~50倍向上させる「インフラストラクチャ・タイムマシン」を発表

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Zpolar(R) Tunnel Logic (ZTL)搭載のZpolar トランジスタ製造向けBizen(R) ウェハ・プロセスにより、台湾と韓国の半導体メーカーの独占に終止符を打ち、半導体不足問題を解決

Bizenのウェハ・プロセス、Zpolarトランジスタ、Zpolar Tunnel Logic(ZTL)を複合的に組み合わせたソリューションを開発しているSearch for the Next(SFN)は旧型の180nmや1㎛のジオメトリの工場でも最先端の工場で生産されるCMOSデバイスと同等の性能を持つICチップの設計と生産を可能にするプロセス・ノードとして4つのITM(インフラストラクチャ・タイムマシン)ファミリを発表しました。たとえば、海外企業への売却をめぐって政治的、経済的な争点となっている英国最大の半導体製造工場、Newport Wafer Fabをはじめとする180nmフォトリソグラフィック・ステッパを備えた工場がITM35を実装すれば、35nm CMOSのパフォーマンス(サイズ、スピード、性能)を持つZTLデバイスを生産できるようになります。
SFNのCEOのDavid Summerlandは「これまで、Zpolarトランジスタ、ZTLロジック、5GやRISC-Vなどのアプリケーション向け高性能チップの生産は世界の高性能半導体の生産を支配する台湾の半導体メーカー大手、TSMCなどの工場に限られていました。今後は英国やその他の欧米諸国の工場が競争力を取り戻すだけでなく、台湾や韓国の大手メーカーを追い抜き、国益も守ることが可能になります」と述べました。

今回、SFNは1μm相当で180nm CMOSの性能を持つZTLチップの製造を可能にする「ITM180」、180nmプロセス・ノードの工場で35nm CMOS相当のICを製造可能にする「ITM35」、28nmステッパで5nm CMOSの性能を実現する「ITM5」、そして最先端の3nm工場でなんとサブnmレベルのオングストローム・プロセスを可能にする「ITMSubnm」の4種類のITMをリリースします。お選びいただいたITMにはVHDLが組み込まれ、最終的なIC用のPOR(プロセス・オブ・リファレンス)とGDSiiの両方が提供されます。インフォグラフィックのプロセスは次の通りです。
インフォグラフィック:Bizenインフラストラクチャ・タイムマシン(ITM)

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