半導体製造向け薄膜成長技術開発、東大発Gaianixxが3.5億円をシリーズB2調達

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Image credit: Gaianixx

多能性中間膜及びエピタキシャル研究開発・製造・販売を行う Gaianixx(ガイアニクス)は6日、シリーズ B ラウンドを2nd クローズし、3.5億円を調達したと発表した。このラウンドには JIC ベンチャー・グロース・インベストメンツ(JIC-VGI)、アルコニックス、SMBC ベンチャーキャピタルが参加した。

これは同社にとって、2023年6月に実施したシリーズBラウンドの 1st クローズに続くものだ。今回の調達により、シリーズ B ラウンド全体の調達額は13.5億円、累積調達額は18.5億円に達した。

Gaianixx は東京大学発のテクノロジーベンチャーで、半導体業界におけるエピタキシャル膜の多段層単結晶化を可能にする独自技術、多能性中間膜を開発し、半導体デバイスの新たな価値創造を目指している。この技術は、基板と異なる材料の間に挿入され、単結晶膜の高品質化を実現することで、従来困難だった多層での高品質単結晶化を可能にする。

Gaianixx は、この多能性中間膜を活用して、PZT/SiC/GaNなどの多種多様な高品質単結晶薄膜を製造しており、ラボレベルから量産レベルへのスケーリングを視野に入れているという。特に、Gaianixx の PZT 薄膜は、高い誘電率と耐熱性を持ち、成膜終了時には分極も終了しており、自発圧電性を保持していることが特徴だという。

技術的な面では、多能性中間膜による動的格子マッチングが核となっており、これにより上部の機能膜を単結晶化させることが可能となる。この技術は、基板上の欠陥を引きずらずに高品質の単結晶を成長させることができ、歩留りやコスト改善にも寄与することが期待されているという。

また、Gaianixx は環境への取り組みにも注力している。MEMS、パワーデバイス、LED製品などの半導体の高付加価値化、小型化、低価格化に必要不可欠な単結晶膜を、多能性中間膜を駆使して開発・製造し、社会に価値を提供することを目指している。

今回の資金調達により、同社は中間膜技術の研究開発、量産体制の構築、および販売体制を加速し、技術の商業化を大きく前進させると共に、新たな設備投資による性能、信頼性、量産性の向上、次材料への研究開発、量産機立ち上げに向けた装置の購入、新たな生産拠点の構築を目指すとしている。

via PR TIMES    Summarized by ChatGPT

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